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输入电阻值应限制在10Ω以下。至少，选择电容器以地匹配分流电阻器及其电感的时间常数；或者，选择电容器以低于该点的极点。使输入滤波器时间常数等于或大于并联电阻及其电感时间常数：这简化为基于使用10Ω电阻来确定每个RFILT的CFILT值：如果主要目的是滤除高频噪声，则应将电容器增加至所需滤波的值。，100kHz的滤波频率需要一个80nF电容。该电容器可以有一个低额定电压值，但应具有良好的高频特性。晶闸管又叫可控硅，是一种在晶体管基础上发展起来的大功率半导体器件，主要并广泛应用于整流、逆变、调压及关等方面，对可控硅性能进行检测，对于电控系统的日常维护、保证正常运转具有十分重要的意义。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成，即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。

利用RFID技术的无源传感器标签功能元件芯片和传感器标签幸运的是，有多种集成度更高的无源感测和优化选择。其中有RF430FRL152H，它集成了实现图1所示功能所需的所有电路，包括用于连接到模拟传感器的14位三角积分AD以及可用于连接数字传感器的SPI/I2C端口。RF430FRL15xH带有通过铁电RAM(FRAM)实现的2KB非易失性存储器，实现了低功耗、快速读写速度、无限次读/写耐久性和高电磁抗扰度综合优势。