另外，晶体管也可能产生相似的爆裂噪声和闪烁噪声，其产生机理与电阻中微粒的不连续性相近，也与晶体管的掺杂程度有关。半导体器件产生的散粒噪声由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数量改变，从而显现出电容效应。当外加正向电压升高时，N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动，相当于对电容充电。当正向电压减小时，它又使电子和空穴远离耗尽区，相当于电容放电。当外加反向电压时，耗尽区的变化相反。当电流流经势垒区时，这种变化会引起流过势垒区的电流产生微小波动，从而产生电流噪声。如所示，这种新技术使得Asterion比常规电源可以在更宽的电压范围内实现满功率输出。，ix2电流倍增技术使得AMETEK程控电源Asterion系列产品比常规电源可以在更宽的电压范围内实现满功率输出电流倍增技术使得AMETEK程控电源产品的输出在电压减少到额定电压一半时候的输出电流可以达到额定电流的二倍。ix2电流倍增技术可以实现电源在更大的电压范围内实现满功率输出。所有的AMETKE程控电源新的Asterion电源都使用了ix2电流倍增技术。关于关电源EMI（Electro-MagneticInterference）的研究，有些从EMI产生的机理出发，有些从EMI产生的影响出发，都提出了许多实用有价值的方案。这里分析与比较了几种有效的方案，并为关电源EMI的措施提出新的参考建议。关电源电磁干扰的产生机理关电源产生的干扰，按噪声干扰源种类来分，可分为尖峰干扰和谐波干扰两种;若按耦合通路来分，可分为传导干扰和辐射干扰两种。现在按噪声干扰源来分别说明：二极管的反向恢复时间引起的干扰高频整流回路中的整流二极管正向导通时有较大的正向电流流过，在其受反偏电压而转向截止时，由于PN结中有较多的载流子积累，因而在载流子消失之前的一段时间里，电流会反向流动，致使载流子消失的反向恢复电流急剧减少而发生很大的电流变化。

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拉曼光谱技术在材料科学研究中的应用拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以很多工作。包括：薄膜结构材料拉曼研究：拉曼光谱已成CVD（化学气相沉积法）薄膜的检测和鉴定手段。拉曼可以研究单、多、微和非晶硅结构以及硼化非晶硅、氢化非晶硅、金刚石、类金刚石等层状薄膜的结构。超晶格材料研究：可通过测量超晶格中的应变层的拉曼频移计算出应变层的应力，根据拉曼峰的对称性，知道晶格的完整性。